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QPD1029L

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分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
制造厂商：Qorvo
功能简述：1.2-1.4GHZ,1500W,65V,GAN RF I/P-
原厂封装：封装:NI-1230
优势价格，QPD1029L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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QPD1029L的功能参数资料 - Qorvo公司提供
  • 型号:QPD1029L
  • 品牌:Qorvo (科沃,预计将于2027年与Skyworks合并)
  • 封装:NI-1230
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
  • 描述:1.2-1.4GHZ,1500W,65V,GAN RF I/P-
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:GaN
  • 配置:2 个 N 沟道
  • 频率:1.2GHz ~ 1.4GHz
  • 增益:21.3dB
  • 电压 - 测试:65 V
  • 额定电流（安培）:-
  • 噪声系数:-
  • 电流 - 测试:750 mA
  • 功率 - 输出:1500W
  • 电压 - 额定:225 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:NI-1230
  • 供应商器件封装:NI-1230
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