Qorvo今天发布了一系列全新的氮化镓 (GaN) 芯片晶体管，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防 RF 系统应用而言甚为关键。

该系列包括六款全新 GaN 晶体管及其相关模型，这些晶体管的制造工艺采用了业内独有的 Qorvo 0.15um 碳化硅基氮化镓 (SiC) 工艺——QGaN15。QGaN15 工艺令晶体管工作频率高达 25 GHz，支持芯片级设计，通过 K 频段应用提供频率更高且经济高效的分立式技术。

Qorvo 高性能解决方案事业部总经理 Roger Hall 表示：“高性能 GaN 产品、互补模块和专业的应用工程支持有机结合，使得 Qorvo 脱颖而出。我们帮助设计人员将产品加速推向市场。”

支持迅速、准确的性能测试并加速生产就绪过程的线性、非线性以及噪声模型由我们的合作伙伴、仿真技术领域的领先企业 Modelithics, Inc. 提供。这些模型提供的功能包括扩展工作电压、环境温度和自热效应，以及针对波形优化的固有电压/电流节点访问。

Qorvo 是国防和有线行业的领先 GaN RF 供应商*。自 1999 年起，Qorvo 就一直在推动 GaN 研究和创新，提供经过检验的 GaN 电路可靠性和紧凑型、高效率产品。Qorvo 于 2014 年完成了国防生产法标题 III 的 GaN on SiC 计划，是获得国防制造电子机构认证的 1A 类可信来源。公司还是唯一一家达到制造成熟度 (MRL) 9 级的 GaN 供应商。Qorvo 一直推动 GaN 产品的下一代系统创新（从直流到 Ka 频段），凭借其可靠的性能、低维护和长运行寿命，成功实现从工厂到现场的转变。